도핑 농도의 변화에 따른 MOSFET Total current 특성변화

도핑 농도의 변화에 따른 MOSFET Total current 특성변화

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Source와 Drain 부분에 도핑의 농도를 변화시킴으로써 MOSFET의 내부의 Total current의 변화의 경향성을 분석하였다. 이를 위해 Simple한 MOSFET 구조를 설계를 한 뒤 gate 부분에 전압을 주어 측정을 하였으며, 그 결과 Source, Drain의 도핑농도가 증가 될 수록 Total current의 변화하는 정도가 커짐을 알 수 있다.
경진대회: 나노물리 나노물리 » 6회 경진대회
태그: mosfet_analyzer
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17. 8. 29 오후 5:21
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Source와 Drain 부분에 도핑의 농도를 변화시킴으로써 MOSFET의 내부의 Total current의 변화의 경향성을 분석하였다. 이를 위해 Simple한 MOSFET 구조를 설계를 한 뒤 gate 부분에 전압을 주어 측정을 하였으며, 그 결과 Source, Drain의 도핑농도가 증가 될 수록 Total current의 변화하는 정도가 커짐을 알 수 있다.
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